基于自組裝金納米粒子應變實時小角散射研究
背景:由于小角散射對電子密度的不均勻性特別敏感,凡是存在納米尺度的電子不均勻區(qū)域的物質(zhì)均會產(chǎn)生小角散射現(xiàn)象,使其成為該尺度(幾納米到一百納米)物質(zhì)結構的重要而理想的工具之一。核心部件:光源:Liquid-Metal-Jet (Excillum),Ga靶Kα輻射;鏡片:Montel Optics (Incoatec);針孔:Scaterless Pinholes (Incoatec);探測器:Van
背景:由于小角散射對電子密度的不均勻性特別敏感,凡是存在納米尺度的電子不均勻區(qū)域的物質(zhì)均會產(chǎn)生小角散射現(xiàn)象,使其成為該尺度(幾納米到一百納米)物質(zhì)結構的重要而理想的工具之一。核心部件:光源:Liquid-Metal-Jet (Excillum),Ga靶Kα輻射;鏡片:Montel Optics (Incoatec);針孔:Scaterless Pinholes (Incoatec);探測器:Van
背景:
由于小角散射對電子密度的不均勻性特別敏感,凡是存在納米尺度的電子不均勻區(qū)域的物質(zhì)均會產(chǎn)生小角散射現(xiàn)象,使其成為該尺度(幾納米到一百納米)物質(zhì)結構的重要而理想的工具之一。
核心部件:
光源:Liquid-Metal-Jet (Excillum),Ga靶Kα輻射;
鏡片:Montel Optics (Incoatec);
針孔:Scaterless Pinholes (Incoatec);
探測器:Vantec-2000 (Bruker AXS)
圖1 SAXS和GISAXS 實驗方案示意圖
圖2 搭配Excillum液態(tài)金屬流微焦源的Nanostar
實驗結果:
圖3 正己烷中分散的膠體金納米粒子的 (a) 小角散射圖樣和 (b) 平均徑向強度分布圖
圖4 單層金納米粒子沉積在硅基體上的 (a) 掠入射小角圖樣和 (b) qy=0.7nm-1時水平截面
圖5 (a) 在未拉伸的聚酯薄膜上單層金納米粒子小角散射圖樣 (b) 在拉伸18%的聚酯薄膜上單層金納米粒子的小角散射圖樣
小結:該方案實現(xiàn)了通過小角散射(SAXS)和掠入射小角散射(GISAXS)的方式在納米尺度的過程進行原位監(jiān)測。