獨(dú)家授權(quán)-激光驅(qū)動(dòng)高亮EUV光源
13.5nm,極紫外光刻,高亮,高功率
- 產(chǎn)地:
- 型號: TEUS-S100、TEUS-S200、TEUS-S400
- 品牌:
13.5nm,極紫外光刻,高亮,高功率
TEUS-LPP 緊湊型激光驅(qū)動(dòng)等離子體極紫外光源基于快速旋轉(zhuǎn)液態(tài)金屬靶,這種新型LPP靶結(jié)合了傳統(tǒng)的碎片減緩技術(shù),是清潔極紫外光源的最佳解決方案?;?/span>其亮度高、潔凈、能量抖動(dòng)小等特點(diǎn),非常適合大規(guī)模生產(chǎn)中基于 EUV 顯微的掩模版檢測等需要高亮度 EUV 光源的應(yīng)用場景,或者小規(guī)模光刻生產(chǎn)與實(shí)驗(yàn)等應(yīng)用方向。經(jīng)過數(shù)臺 TEUS 的交付,已經(jīng)驗(yàn)證該光源的性能及穩(wěn)定性。
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高速轉(zhuǎn)速:液滴的重定向
高轉(zhuǎn)速允許初始速度與目標(biāo)線速度相當(dāng)?shù)囊旱蔚慕撬俣确植及l(fā)生劇烈變化
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高旋轉(zhuǎn)速度導(dǎo)致的液滴減緩效果的演示
型號 | EUV收集角(sr) | 激光平均功率(W) | 脈寬(ns) | 重頻(kHz) | 等離子體尺寸*(μm) | 亮度(W/mm2sr) | EUV功率(mW) | 收集鏡** 壽命 |
TEUS-S100 | 0.05 | 100 | 1.5 | 25 | ≤60 | 110 | 5 | >1年 |
TEUS-S200 | 200 | 50 | 220 | 10 | >半年 | |||
TEUS-S400 | 400 | 100 | 450 | 20 | >半年 |
* : 定義為等離子強(qiáng)度分部1/e2的直徑
**:收集鏡為系統(tǒng)選配
掩膜及表面檢測
圖形化掩膜檢測(PMI)
掩膜空間像檢測(AIMS)
空白掩膜版檢測(MBI)
材料科學(xué)
晶圓檢測
極紫外掃描光刻工藝鏈中的極紫外光學(xué)器件檢測
型號 | 供電功耗 | 尺寸(長x寬x高) | 重量(含激光部件) | 潔凈間級別 | 水流速 |
TEUS-S100 | 6.5 kW | 1500x1000x1200 mm | 770kg | ISO7 | 10 L/min |
TEUS-S200 | 8.5 kW | 1500x1000x1200 mm | 770kg | ISO7 | 15 L/min |
TEUS-S400 | 10.5 kW | 1500x1000x1200 mm | 770kg | ISO7 | 25 L/min |
EUV收集角(sr) | 激光平均功率(W) | 脈寬(ns) | 重頻(kHz) | 等離子體尺寸(μm) | 亮度(W/mm2sr) | EUV功率(mW) | 收集器壽命 | |
TEUS-S100 | 0.05 | 100 | 1.5 | 25 | 60 | 110 | 5 | >1年 |
TEUS-S200 | 200 | 50 | 220 | 10 | >半年 | |||
TEUS-S400 | 400 | 100 | 450 | 20 | >半年 |
典型應(yīng)用
掩膜及表面檢測
圖形化掩膜檢測
掩膜空間像檢測
材料科學(xué)
晶圓檢測
極紫外掃描光刻工藝鏈中的極紫外光學(xué)器件檢測