產(chǎn)品介紹

  勞厄單晶定向系統(tǒng)對于晶體切割、拋光、大裝置實驗準備以及渦輪葉片制造等許多工業(yè)應用至關重要。這些系統(tǒng)的關鍵性能通過對準精度、循環(huán)時間和勞厄軟件的易用性來衡量。勞厄（Laue）單晶實時定向系統(tǒng)結合了多項關鍵創(chuàng)新。高分辨率、高靈敏度和堅固的 X 射線 CCD 相機具有無與倫比的有效面積，可用于測量勞厄衍射點。定制的風冷 X 射線源無需使用水冷，同時為標準系統(tǒng)提供光斑尺寸為 450 μm 的高亮度 X 射線束。

  專用軟件套件允許用戶驅(qū)動平移臺、X 射線源、相機并執(zhí)行勞厄分析。勞厄分析工具對于通過自動峰值標引加速單晶定向至關重要，使其成為真正用戶友好且高效的工具。這種高探測器分辨率、明亮的衍射峰和小光斑尺寸的組合，使 Si 參考樣品的典型曝光時間為 1-3 秒，精度為 0.1 度。最終成果是一種快速、準確的勞厄單晶定向工具，其設計充分考慮了易用性，從而提供了下一代勞厄單晶定向系統(tǒng)。

點擊相關閱讀

1、晶體生長質(zhì)量快速測試利器：X射線勞厄(Laue)實時晶體定向系統(tǒng)

產(chǎn)品特點

ü  提供垂直、水平和晶粒取向映射（mapping）三種配置

ü  即插即用的緊湊型機柜系統(tǒng) - 無需定制工作臺或額外服務

ü  全自動電動 XYZ 平臺和測角儀，提供手動選項

ü  CCD 背反射、高分辨率、高靈敏度 X 射線探測器

ü  風冷 X 射線源 - 無需水冷器

ü  標準光束尺寸為 450 μm，精細聚焦時為 250 μm

ü  使用機載的高分辨率觀察相機快速精確對準小晶體

ü  距離測量工具，用于垂直配置的精確和可重復的樣品定位

ü  專用 Laue 軟件，用于完全控制、數(shù)據(jù)采集、處理和分析

ü  高通量樣品篩選選項

垂直勞厄配置

垂直勞厄系統(tǒng)具有最靈活的配置，它使用垂直光束路徑對多個孤立晶體或多個感興趣區(qū)域進行高通量掃描。利用重力，樣品無需粘附在平臺上，從而更容易安裝和定向晶體。   垂直系統(tǒng)還可以從水平光束機械指針升級到激光指導距離傳感器，以優(yōu)化樣品到探測器的距離并糾正勞厄圖案模擬以標引晶體。 小于 450μm（200 μm可選）的X射線光束尺寸，既可適用于亞毫米范圍的樣品，又可用于納渦輪合金等較大的部件。

水平勞厄配置

水平光路系統(tǒng)非常適合晶體切割的定向或快速掃描晶體以識別反射。這種配置通常適合那些進行晶體切割的人，他們希望勞厄?qū)嶒灥膸缀涡螤钆c切割器相匹配。

晶粒映射(Mapping)系統(tǒng)

垂直系統(tǒng)配備特殊的攝像機、鏡頭、照明和映射軟件，用于測量每個晶粒的方向。晶粒映射標配了全電動 XYZ 平臺和測角儀。它是硅片晶粒測繪的理想選擇。

主要參數(shù)

系統(tǒng)配置可選項

勞厄圖像對準軟件

ü  自動檢測衍射點并根據(jù)參考晶體計算點位置

ü  根據(jù)測角儀和晶體軸自動計算誤差方向（無需手動擬合或扭曲圖案）

ü  直觀的工作流程，適用于多用戶操作和非專家晶體學用戶

ü  以 CSV 格式保存角度測量值用于質(zhì)量保證可追溯性

ü  內(nèi)置宏接口用于自動執(zhí)行重復例程

ü  兼容 CFL 數(shù)據(jù)文件

ü  遠程訪問控制用于持續(xù)服務支持和最大限度地減少停機時間

應用

ü  晶體生長

ü  實時晶體定向

ü  晶體表征

ü  晶體切割

ü  光伏檢測

ü  寶石檢測

ü  多晶硅晶片的二維取向mapping

ü  半導體晶體

ü  晶圓檢測