EUV tech發(fā)布HVM級(jí)、極紫外波帶片顯微系統(tǒng)- AIRES®
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昨日，美國EUV Tech公司發(fā)布一款用于光刻掩膜版缺陷檢測(cè)的HVM級(jí)、極紫外波帶片顯微系統(tǒng)- AIRES?。相較于2020年交付的原型機(jī)，該系統(tǒng)的亮點(diǎn)是能滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需求[1]。
眾星快評(píng)：實(shí)現(xiàn)HVM的核心是有效的提高系統(tǒng)的檢測(cè)速度，核心要素一是提高光源的亮度，二是提高光學(xué)系統(tǒng)的NA。
?故做出如下大膽推測(cè)
光源層面
DPP ? LPP (Sn Target) ? LPP (Li target)?[2]
核心FZP層面
-?free-standing FZP以提高EUV透過率
-?50-100nm Si membrane 提供透過率，并保持較高的機(jī)械強(qiáng)度?[3]
- 使用 Ru absorber 以提高衍射效率?[3]
- 使用消色差FZP結(jié)構(gòu)，以進(jìn)一步提高光利用率?[4]
? 參考文獻(xiàn)及信息：
[1] https://spie.org/advanced-lithography/presentation/HVM-ready-EUV-zoneplate-microscopy-for-mask-defect-review/13426-68
[2] Coons, R. W., et al. "Comparison of EUV spectral and ion emission features from laser-produced Sn and Li plasmas."?Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography. Vol. 7636. SPIE, 2010.
[3] www.xrnanotec.com
[4] A. Kubec et al. An achromatic X-ray lens. Nat. Commun. 13 (2022), p. 1305
U. Sanli et al. Apochromatic X-ray focusing. Light Sci Appl 12, 107 (2023)
?內(nèi) 容???凱文
?編 輯?? 小喬
