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![CCD相機為何要制冷？為何Greateyes相機的冷卻溫度僅冷卻到-80℃~-90℃]()
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![Greateyes CCD相機使用指南（2）]()
Greateyes CCD相機使用指南（2）
Greateyes CCD相機有哪些圖像校正（Image Correction）方法1) 暗電流校正（Dark Current Correction）Greateyes CCD相機每行像素左右設置有幾個暗像素（啞像素），這些像素被遮蓋，不感光，用于測量曝光過程中累積的暗電流電子數(shù)，以這些啞像素的暗電流電子數(shù)校正像素
2020-03-02
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![Greateyes CCD相機使用指南（1）]()
Greateyes CCD相機使用指南（1）
Greateyes CCD內真空相機和外真空相機有何區(qū)別？內真空相機和外真空相機都是通過法蘭與所測光源連接。內真空相機整體處于真空環(huán)境中，而外真空相機只是CCD傳感器處于真空環(huán)境中。此外，內真空相機整體處于真空環(huán)境，減少了機身到CCD傳感器之間的熱傳導，因此，內真空相機可冷卻到~-90℃，而外真空相機冷卻到~-80℃，即內真空相機受外部環(huán)境溫度的影響較小。Greateyes CCD相機設備像素與軟
2020-03-02
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![Timepix 3 像素布局、工作模式和像素結構]()
Timepix 3 像素布局、工作模式和像素結構
Timepix 3 像素布局、工作模式和像素結構像素布局Timepix 3與Medipix 3相同，像素矩陣也是256 x 256方陣。為了簡化高精度時間戳的實現(xiàn)和像素坐標的獲?。ü庾訐糁形恢茫?，256列像素被分為128個雙列，每個雙列又分成64個超像素（SuperPixel，由4×2=8個55μm×55μm 像素構成）。超像素示意圖和像素地址編碼如下：其中EoC_address為雙列地址（128
2020-03-02
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![高精度X射線熒光]()
高精度X射線熒光
高清 X 射線熒光 (HDXRF) 的優(yōu)點?打印?XOS 將HDXRF技術應用于玩具和消費品中的管制元素的快速檢測高清 X 射線熒光 (HDXRF) 是新一代管制元素檢測技術，可幫助制造商和監(jiān)管機構解決這一重要的公共健康問題。HDXRF 將快速檢測和精確度的優(yōu)勢進行了前所未有的結合。HDXRF 的優(yōu)點快速得出結果更快的測量速度使其能夠檢查更多的玩具；比傳統(tǒng)分析技術快 100 多
2019-08-23
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![光子計數(shù)、像素化X射線探測器（HPC）的閾值等值化]()
光子計數(shù)、像素化X射線探測器（HPC）的閾值等值化
光子計數(shù)、像素化X射線探測器（HPC）的閥值等值化（Threshold Equalization） 對Medipix1，2，3和Timepix、Timepix 3芯片來說，當綁定傳感器芯片后，就相當于256×256 = 65536個探測器，讀出芯片的主要作用是讀出這65K個探測器的數(shù)據(jù) – 計數(shù)值（事件數(shù)和/或時間）。而數(shù)據(jù)是基于探測到的信號與基準的比較結果，基準是全局閥（
2019-08-19
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![Medipix 3 像素布局、工作模式和像素結構]()
Medipix 3 像素布局、工作模式和像素結構
Medipix 3 像素布局、工作模式和像素結構像素布局像素矩陣由256 x 256像素的方陣構成，不同布局的2×2像素方陣組成一個簇（Cluster）。非彩色模式連接所有像素（55 μm x 55 μm）到傳感器。彩色模式僅連接上圖中的像素P1，每個像素測量110 μm x 110 μm面積。上圖給出了像素1與矩陣邊緣的距離。工作模式每個像素可配置為3種工作模式：單像素模式（Single Pix
2019-08-19
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![微 X 射線熒光 (μXRF)]()
微 X 射線熒光 (μXRF)
微 X 射線熒光 (μXRF) 打印微 X 射線熒光 (μXRF) 是一種元素分析技術，它允許檢測非常小的樣品區(qū)域。與傳統(tǒng)的 XRF 儀器一樣，微 X 射線熒光通過使用直接 X 射線激發(fā)來誘導來自樣品的特性 X 射線熒光發(fā)射，以用于元素分析。與傳統(tǒng) XRF 不同（其典型空間分辨率的直徑范圍從幾百微米到幾毫米），μXRF 使用 X 射線光學晶體來限制激發(fā)光束尺寸或將激發(fā)光束聚焦到樣品表面上
2019-05-09
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![波長色散 X 射線熒光 (WDXRF)]()
波長色散 X 射線熒光 (WDXRF)
波長色散 X 射線熒光 (WDXRF)波長色散 X 射線熒光 (WDXRF) 是用于元素分析應用的兩種通用型 X 射線熒光儀器之一。在 WDXRF 光譜儀中，樣品中的所有元素同時被激發(fā)。樣品發(fā)射的特性輻射的不同能量被分析晶體或單色儀衍射到不同方向（類似于棱鏡將不同顏色的可見光分散到不同方向）。通過將檢測儀置于一定角度，可以測量具有一定波長的 X 射線的強度。連續(xù)光譜儀使用測角儀上的移動探測器使其移
2019-05-09
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![能量色散 X 射線熒光 (ED XRF)]()
能量色散 X 射線熒光 (ED XRF)
能量色散 X 射線熒光 (ED XRF)?打印能量色散 X 射線熒光 (EDXRF) 是用于元素分析應用的兩種通用型 X 射線熒光技術之一。在 EDXRF 光譜儀中，樣品中的所有元素都被同時激發(fā)，而能量色散檢測儀與多通道分析儀相結合，用于同時收集從樣品發(fā)射的熒光輻射，然后區(qū)分來自各個樣品元素的特性輻射的不同能量。EDXRF 系統(tǒng)的分辨率取決于檢測儀，通常范圍為 150 eV - 600
2019-05-09
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![XRD]()
XRD
X射線衍射 (XRD) 依賴于 X 射線的雙波/顆粒性質來獲得關于晶體材料結構的信息。該技術的主要用途是根據(jù)其衍射圖對化合物進行鑒定和特性描述。當單色 X 射線的入射束與目標材料相互作用時，發(fā)生的顯性效應是，這些 X 射線從目標材料內的原子進行散射。在具有規(guī)則結構（即晶體）的材料中，散射的 X 射線會經(jīng)歷相長干涉和相消干涉。這就是衍射的過程。晶體對 X 射線的衍射遵循布拉格定律，nλ = 2dsi
2019-05-09
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![暗電流（Dark Current）]()
暗電流（Dark Current）
勢阱收集的是電子，對P-Si襯底來說，是P型半導體的少子。由于熱激發(fā)，P型半導體總會有少量的電子生成，其數(shù)量與溫度密切相關，230K~300K范圍內少子數(shù)量與溫度（K）的近似關系如下： 暗電流越小越好，一般以每秒每像素多少個電子給出。Greateyes GE-VAC 1024 256 BI UV1暗噪聲0.0005 e-/pixel/sec @ -80℃熱激發(fā)產(chǎn)生的電子是一種噪聲，稱為暗噪聲（Da
2018-12-04
