電子束光刻
2025-03-27 16:26:54
unistar
- 相關(guān)產(chǎn)品：
依托尖端設(shè)備和豐富的經(jīng)驗(yàn)，我們能夠?yàn)榭蛻籼峁脑O(shè)計(jì)到成品的一站式解決方案，涵蓋電子束光刻、激光直寫、X射線光刻、雙光子聚合、極紫外激光干涉光刻、紫外光刻、電鍍等多種核心技術(shù)。產(chǎn)品線包括菲涅耳波帶片、納米級光柵、金剛石光學(xué)器件、納米分辨率測試卡、3D分辨率測試卡等。菲涅耳波帶片分辨率可低至<10nm，憑借獨(dú)特的 Ir-線倍增技術(shù)，可以獲得精確到 5nm 的 X 射線束聚焦。
電子束光刻
利用聚焦電子束在涂有電子敏感抗蝕劑（如PMMA）的基底上直寫圖案。當(dāng)電子束照射抗蝕劑時，會引起分子鏈斷裂或化學(xué)變化，從而改變抗蝕劑的溶解特性。經(jīng)過顯影處理后，未被曝光或被曝光的部分會被去除，形成所需的微納結(jié)構(gòu)。它以極高的分辨率著稱，適用于制作微小且復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)。
Raith/Vistec EBPG 5000Plus 電子束光刻機(jī)
高精度加工，最小特征尺寸可達(dá)10nm
適用于各種薄膜基底（如Si、Si?N?、SiC、金剛石）上的納米結(jié)構(gòu)制造
支持4英寸晶圓加工
KIT/IMT）EBPG5200Z 電子束光刻系統(tǒng)
最高精度與分辨率結(jié)合快速圖案化能力
能夠制作特征尺寸小至100nm、高度達(dá)2μm的微結(jié)構(gòu)
模式放置極其精確，誤差小于100nm，適用于大面積（數(shù)厘米）范圍
典型應(yīng)用
X射線掩模的設(shè)計(jì)與制造
小周期X射線光柵的高性能要求
高分辨率菲涅爾波帶片和其他精密納米結(jié)構(gòu)