依托尖端設(shè)備和豐富的經(jīng)驗(yàn)，我們能夠?yàn)榭蛻籼峁脑O(shè)計(jì)到成品的一站式解決方案，涵蓋電子束光刻、激光直寫、X射線光刻、雙光子聚合、極紫外激光干涉光刻、紫外光刻、電鍍等多種核心技術(shù)。產(chǎn)品線包括菲涅耳波帶片、納米級(jí)光柵、金剛石光學(xué)器件、納米分辨率測(cè)試卡、3D分辨率測(cè)試卡等。菲涅耳波帶片分辨率可低至<10nm，憑借獨(dú)特的 Ir-線倍增技術(shù)，可以獲得精確到 5nm 的 X 射線束聚焦。

紫外光刻

紫外光刻是一種使用紫外光通過掩模將圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上的技術(shù)，而Mask Aligner（掩模對(duì)準(zhǔn)器）則是實(shí)現(xiàn)這一技術(shù)的關(guān)鍵設(shè)備。通過將掩模上的精細(xì)圖案精確轉(zhuǎn)移到涂覆了光刻膠的硅片上。這一過程不僅要求極高的對(duì)準(zhǔn)精度，還需要高效的生產(chǎn)效率。Mask Aligner的出現(xiàn)極大地推動(dòng)了半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，使得更復(fù)雜、更精細(xì)的電路成為可能，適用于大規(guī)模生產(chǎn)和多材料圖案化。

設(shè)備: SUSS MA8-BA6 、SUSS MA6-BA6

• 支持6/8英寸晶圓的精確對(duì)準(zhǔn)和曝光，分辨率可達(dá)800nm。

• 提供頂部和底部對(duì)準(zhǔn)選項(xiàng)，確保高精度圖案轉(zhuǎn)移。

典型應(yīng)用

• 廣泛材料的圖案轉(zhuǎn)移，適用于半導(dǎo)體、光學(xué)器件等領(lǐng)域。

• 膜狀晶圓和其他特殊基底的加工。