極紫外激光干涉光刻
2025-03-27 16:31:51
unistar
- 相關產(chǎn)品：
依托尖端設備和豐富的經(jīng)驗，我們能夠為客戶提供從設計到成品的一站式解決方案，涵蓋電子束光刻、激光直寫、X射線光刻、雙光子聚合、極紫外激光干涉光刻、紫外光刻、電鍍等多種核心技術。產(chǎn)品線包括菲涅耳波帶片、納米級光柵、金剛石光學器件、納米分辨率測試卡、3D分辨率測試卡等。菲涅耳波帶片分辨率可低至<10nm，憑借獨特的 Ir-線倍增技術，可以獲得精確到 5nm 的 X 射線束聚焦。
極紫外激光干涉光刻
極紫外激光干涉光刻是一種利用極紫外光（通常波長為13.5nm）與干涉光學技術結合的先進微納加工方法。通過兩束或多束相干極紫外激光的干涉，形成周期性強度分布的光場，直接曝光光刻膠，在基底上生成納米級高精度圖案。適合大面積周期性結構的高效制造。
Phable R200 光刻機
最小特征尺寸為60nm，適合大面積周期性結構的圖案化。
支持8英寸晶圓加工，曝光均勻性優(yōu)于3%。
提供前側對準和手動疊加對準功能，確保高精度加工。
典型應用
大面積納米圖案光刻，適用于大規(guī)模生產(chǎn)
衍射光柵和其他周期性結構的制造